PCIM-ի հիմնական զեկույց
Շանհայ, 2025 թվականի սեպտեմբերի 25—Այսօր, ժամը 11:40-ին, Շանհայի նոր միջազգային ցուցահանդեսային կենտրոնի N4 դահլիճում կայացած PCIM Asia 2025 տեխնոլոգիական ֆորումում Shanghai YMIN Electronics Co., Ltd.-ի փոխնախագահ պարոն Չժան Ցինգտաոն հանդես եկավ «Կոնդենսատորների նորարարական կիրառությունները նոր երրորդ սերնդի կիսահաղորդչային լուծումներում» վերնագրով հիմնական զեկույցով։
Ելույթը կենտրոնացած էր երրորդ սերնդի կիսահաղորդչային տեխնոլոգիաների՝ սիլիցիումի կարբիդի (SiC) և գալիումի նիտրիդի (GaN) պես, առաջ քաշած նոր մարտահրավերների վրա՝ կոնդենսատորների համար՝ ծայրահեղ աշխատանքային պայմաններում, ինչպիսիք են բարձր հաճախականությունը, բարձր լարումը և բարձր ջերմաստիճանը: Ելույթում համակարգված կերպով ներկայացվեցին YMIN կոնդենսատորների տեխնոլոգիական առաջընթացները և գործնական օրինակներ՝ բարձր տարողունակության խտության, ցածր ESR-ի, երկարակեցության և բարձր հուսալիության հասնելու համար:
Հիմնական կետեր
Նոր էներգետիկ տրանսպորտային միջոցներում, ֆոտովոլտային էներգիայի կուտակիչներում, արհեստական բանականության սերվերներում, արդյունաբերական էներգամատակարարման աղբյուրներում և այլ ոլորտներում SiC և GaN սարքերի արագ կիրառման հետ մեկտեղ, օժանդակ կոնդենսատորների կատարողականի պահանջները դառնում են ավելի խիստ: Կոնդենսատորները այլևս միայն օժանդակ դեր չեն խաղում. դրանք այժմ կարևորագույն «շարժիչն» են, որը որոշում է համակարգի կայունությունը, արդյունավետությունը և երկարակեցությունը: Նյութերի նորարարության, կառուցվածքային օպտիմալացման և գործընթացների արդիականացման միջոցով YMIN-ը հասել է կոնդենսատորների համապարփակ բարելավումների չորս չափանիշով՝ ծավալ, հզորություն, ջերմաստիճան և հուսալիություն: Սա դարձել է կարևորագույն երրորդ սերնդի կիսահաղորդչային կիրառությունների արդյունավետ իրականացման համար:
Տեխնիկական մարտահրավերներ
1. Արհեստական բանականության սերվերի էներգամատակարարման լուծում · Համագործակցություն Navitas GaN-ի հետ: Խնդիրներ՝ բարձր հաճախականության անջատում (>100 կՀց), բարձր ալիքային հոսանք (>6 Ա) և բարձր ջերմաստիճանային միջավայրեր (>75°C): Լուծում.IDC3 շարքցածր ESR էլեկտրոլիտիկ կոնդենսատորներ, ESR ≤ 95 մΩ և 12,000 ժամ ծառայության ժամկետ 105°C ջերմաստիճանում: Արդյունքներ՝ ընդհանուր չափերի 60% կրճատում, արդյունավետության 1%-2% բարելավում և ջերմաստիճանի 10°C նվազում:
2. NVIDIA AI Server GB300-BBU պահուստային սնուցման աղբյուր · Ճապոնական Musashi-ի փոխարինում: Խնդիրներ՝ GPU-ի հանկարծակի հզորության տատանումներ, միլիվայրկյանային մակարդակի արձագանք և բարձր ջերմաստիճանային միջավայրերում կյանքի տևողության նվազում: Լուծում.LIC քառակուսի գերկոնդենսատորներ, ներքին դիմադրություն <1մΩ, 1 միլիոն ցիկլ և 10 րոպեանոց արագ լիցքավորում։ Արդյունքներ՝ չափերի 50%-70% կրճատում, քաշի 50%-60% կրճատում և 15-21 կՎտ գագաթնակետային հզորության ապահովում։
3. Infineon GaN MOS480W երկաթուղային էլեկտրամատակարարում, որը փոխարինում է ճապոնական Rubycon-ը: Խնդիրներ՝ -40°C-ից մինչև 105°C աշխատանքային ջերմաստիճանի լայն միջակայք, բարձր հաճախականության ալիքային հոսանքի տատանումներ: Լուծում՝ Գերցածր ջերմաստիճանային քայքայման մակարդակ <10%, ալիքային հոսանքի դիմադրություն 7.8A: Արդյունքներ՝ 100% հաջողությամբ հանձնել է -40°C ցածր ջերմաստիճանի մեկնարկի և բարձր-ցածր ջերմաստիճանի ցիկլի փորձարկումները՝ բավարարելով երկաթուղային արդյունաբերության 10+ տարվա կյանքի պահանջը:
4. Նոր էներգետիկ տրանսպորտային միջոցDC-Link կոնդենսատորներ· Համապատասխանեցված է ON Semiconductor-ի 300 կՎտ հզորությամբ շարժիչի կարգավորիչի հետ։ Խնդիրներ՝ անջատման հաճախականություն > 20 կՀց, dV/dt > 50 Վ/նվ, շրջակա միջավայրի ջերմաստիճան > 105°C։ Լուծում՝ ESL < 3.5 նՀ, կյանքի տևողություն > 10,000 ժամ 125°C ջերմաստիճանում և ծավալի միավորի հաշվով հզորության 30%-ով ավելացում։ Արդյունքներ՝ ընդհանուր արդյունավետություն > 98.5%, հզորության խտություն՝ գերազանցող 45 կՎտ/լ, և մարտկոցի կյանքի տևողության աճ՝ մոտավորապես 5%-ով։ 5. GigaDevice 3.5 կՎտ հզորությամբ լիցքավորման կույտի լուծում։ YMIN-ը առաջարկում է խորը աջակցություն։
Խնդիրներ՝ PFC միացման հաճախականությունը 70 կՀց է, LLC միացման հաճախականությունը՝ 94 կՀց-300 կՀց, մուտքային կողմում ալիքային հոսանքը գերազանցում է 17 Ա-ը, իսկ միջուկի ջերմաստիճանի բարձրացումը լրջորեն ազդում է կյանքի տևողության վրա։
Լուծում. ESR/ESL-ը նվազեցնելու համար օգտագործվում է բազմաէջանիշային զուգահեռ կառուցվածք: GD32G553 միկրոմետրային միավորի և GaNSafe/GeneSiC սարքերի հետ համատեղ ձեռք է բերվում 137 Վտ/դյույմ³ հզորության խտություն:
Արդյունքներ՝ համակարգի գագաթնակետային արդյունավետությունը կազմում է 96.2%, պրոֆեսիոնալ արդյունավետությունը՝ 0.999, իսկ ջերմահաղորդականությունը՝ 2.7%, ինչը բավարարում է էլեկտրական մեքենաների լիցքավորման կայանների բարձր հուսալիության և 10-20 տարվա կյանքի տևողության պահանջները։
Եզրակացություն
Եթե հետաքրքրված եք երրորդ սերնդի կիսահաղորդիչների առաջատար կիրառություններով և ցանկանում եք իմանալ, թե ինչպես կարող են կոնդենսատորների նորարարությունները բարելավել համակարգի աշխատանքը և փոխարինել միջազգային ապրանքանիշերին, խնդրում ենք այցելել YMIN տաղավար՝ C56, N5 դահլիճում՝ մանրամասն տեխնիկական քննարկման համար։
Հրապարակման ժամանակը. Սեպտեմբերի 26-2025